特許

J-GLOBAL ID：200903035836387795

半導体装置及びその製造方法

発明者： 小島 淳 ,  竹内 有一 ,  三好 好広
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-147172
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340520
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 金属とSiCとのコンタクト部におけるコンタクト抵抗率を低減できるようにする。また、高温熱処理を行なわずにオーミック性が得られるようにする。【解決手段】 炭化珪素からなるn型層3と金属膜7とのコンタクト部分にイオン注入を行なうことにより、該コンタクト部分においてn型層3の表層部に欠陥層6を形成する。このように、イオン注入を行なうことによって、n型層3の表層部に欠陥層6を形成することができる。この欠陥層6によってコンタクト部分のエネルギーバンドにエネルギー準位が形成される。このため、エネルギー準位を介して電流が流れ、コンタクト部分の抵抗率を低減することができる。このため、オーミック接触とするための高温熱処理を行なわなくても低抵抗コンタクトを得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体(3、11)と金属膜(7)とのコンタクトが取られてなる半導体装置において、前記半導体と前記金属膜とのコンタクト部分において、前記半導体の表層部には欠陥層(6)によるエネルギー準位が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/861

FI (4件)：

H01L 21/28 301 F ,  H01L 29/78 652 L ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/91 F

Fターム (14件)：

4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA06 ,  4M104AA10 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD79 ,  4M104DD82 ,  4M104GG09 ,  4M104HH15