特許
J-GLOBAL ID：200903035843506031
添加物変調電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-124519
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307461
出願日： 1995年04月26日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：
【要約】【目的】 高い降伏電圧および高電流密度を有する高機能電力素子を有する添加物変調電界効果トランジスタを提供する。【構成】 添加物変調電界効果トランジスタ(10)は、ソース(16,17)およびチャンネル領域(20,21)から垂直方向にずれたドレイン(28,12,11)を有するように形成される。前記トランジスタ(10)は、ソース(16,17)、チャンネル(20,21)およびドレイン(28)の一部が横方向に配列されているので、電流(27)はソース(16,17)から横方向にドレイン(28,12,11)に向かって流れる。チャンネル領域(20,21)上のヘテロ接合層(18)によって、トランジスタ(10)に高トランスコンダクタンスを与える二次元電子ガスをチャンネル(20,21)領域内に形成することが容易となる。
請求項（抜粋）：
添加物変調電界効果トランジスタ(modulation doped field effect transistor)であって:第1表面(31)を有する基板(11);第1バンド・ギャップと第1表面とを前記基板の第1表面上に有する、第1導電型のドリフト層(12);前記ドリフト層の第2表面上にある第2導電型の第1障壁領域(13)であって、前記ドリフト層のドープされた領域である、前記第1障壁領域;前記第1障壁領域内にある第1導電型の第一ソース領域(16);前記ドリフト層上にあるヘテロ接合層(18)であって、前記第1障壁領域の縁部と前記ソース領域の縁部との間の、前記第1障壁領域の部分(20)を覆い、前記第1バンド・ギャップより大きなバンド・ギャップを有する物質で形成された前記ヘテロ接合層;前記ヘテロ接合層内にある電荷供給領域(19)であって、前記第1障壁領域を覆いこれと隣接して配置され、前記第1障壁領域内のドーピング濃度よりも高いドーピング濃度を有する前記電荷供給領域;および前記ヘテロ接合層上にあるショットキ・ゲート(22);から成ることを特徴とするトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
