特許

J-GLOBAL ID：200903035843718195

単結晶の表面処理方法

発明者： 川崎 雅司 ,  鯉沼 秀臣 ,  高橋 和浩 ,  米澤 卓三
出願人/特許権者： 株式会社信光社
代理人 (1件)： 小平 進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-248868
公開番号（公開出願番号）：特開平8-092000
出願日： 1994年09月17日
公開日（公表日）： 1996年04月09日
要約：

【要約】【目的】 処理条件の幅を広げてもピットの発生のないステップ構造を有する単結晶の表面処理を可能にし、処理条件(ピットが出ないステップ構造となる条件)の下においてもより良いステップ構造を得る【構成】 SrTiO3 単結晶基板を900°C以上の温度で1時間以上加熱する熱処理を行った後、上記基板の面方位(100)からなる表面の2次元格子原子層単位に溶解する2種類の溶液A,Bとしてフッ素系酸性溶液(温度35°Cを越える温度、pH4未満)と水とを用い、上記単結晶基板を溶液Aと溶液Bに交互に浸漬して仕上げ表面がピットのないステップ構造を有する基板用単結晶を得る。

請求項（抜粋）：

金属酸化物2次元格子原子層を繰り返す結晶構造を備えている単結晶の表面を2種類又はそれ以上の溶液を用いて2次元格子原子層単位に溶解処理する方法であって、上記単結晶をそれぞれの溶液に順番に浸漬する浸漬工程と、上記単結晶の表面を熱処理する加熱工程とを含み、この加熱工程は上記浸漬工程の前又は後の少なくともいずれか一方の時点で行うことを特徴とする単結晶の表面処理方法。

IPC (6件)：

C30B 33/02 ,  C01G 1/00 ZAA ,  C30B 29/32 ,  C30B 33/10 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565