特許
J-GLOBAL ID：200903035843932588
薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッド組立体、記憶装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-152800
公開番号（公開出願番号）：特開2003-346309
出願日： 2002年05月27日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：
【要約】【課題】 フリー層の両側領域における読みにじみを低減すると共に、再生出力を安定させることが可能な薄膜磁気ヘッド、当該薄膜磁気ヘッドを備える薄膜磁気ヘッド組立体及び記憶装置、並びに薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること。【解決手段】 MR素子7は、ピン層21、ピンド層23、非磁性層25及びフリー層27を含む。硬磁性層9は、MR素子7を挟むように配置されて、フリー層27にバイアス磁界を印加する。電極層15は、互いに離間して一対配置され、フリー層27にセンス電流を供給する。フリー層27の両側領域における電極層15と重なっている部分と電極層15との間に層構造体13が配置されている。層構造体13は、非磁性層31、強磁性層33及び反強磁性層35を含んでいる。強磁性層33は、反強磁性層35により磁化方向が固定されており、磁気膜厚がフリー層27の磁気膜厚よりも大きく設定されている。
請求項（抜粋）：
外部磁界に応じて磁化の向きが変化するフリー層を含む磁気抵抗効果素子と、前記フリー層の両側に当該フリー層と重なるように互いに離間して配置されて前記磁気抵抗効果素子に電流を供給するための一対の電極層と、を備えた薄膜磁気ヘッドであって、前記フリー層の両側領域における前記電極層と重なっている部分と前記電極層との間に配置される層構造体を有し、前記層構造体は、磁化方向が固定される導電性の強磁性層と、前記強磁性層と前記フリー層との間に配置される導電性の非磁性層と、前記強磁性層と前記電極層との間に配置され、前記強磁性層の磁化方向を固定する導電性の反強磁性層と、を含んでおり、前記強磁性層の磁気膜厚は前記フリー層の磁気膜厚よりも大きく設定されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
5D034BA02
, 5D034BA03
, 5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034BA12
, 5D034CA04
, 5D034CA08
, 5D034DA07
