特許

J-GLOBAL ID：200903035845096787

半導体受光素子

発明者： 平山 祥之 ,  西片 一昭 ,  入川 理徳
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-105091
公開番号（公開出願番号）：特開平6-296037
出願日： 1993年04月07日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】【目的】 応答特性を向上させ、また、暗電流を低減させた半導体受光素子を提供する。【構成】 半導体基板1上に、面内圧縮歪みがある歪み超格子層を有する受光層3を積層した半導体受光素子において、受光層3を部分的に除去した溝8a、8bを形成し、該溝8aの受光層3側面に多重量子障壁構造5を介してショットキー電極6を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、面内圧縮歪みがある歪み超格子層を有する受光層を積層した半導体受光素子において、受光層を部分的に除去した溝を有し、該溝の側壁の受光層側面にショットキー電極を形成したことを特徴とする半導体受光素子。