特許

J-GLOBAL ID：200903035847405531

半導体レーザ

発明者： 吉川 隆士 ,  斎藤 英彰
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-269045
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112084
出願日： 1997年10月01日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】 酸化層の形成により電流狭窄がなされる半導体レーザにおいて、酸化パターンを高精度に形成し、これにより閾値電流等の特性の向上および均一化を図る。【解決手段】 電流通電部Bおよび電流狭窄部Aにわたる電流狭窄層3を有し、電流狭窄部Aの電流狭窄層3の厚みは電流通電部Bの電流狭窄層3の厚みよりも厚く、電流狭窄部Aの電流狭窄層3は酸化層であって、電流通電部Bの電流狭窄層3は実質的に酸化されていない半導体レーザとする。

請求項（抜粋）：

通電領域と電流狭窄領域を備えた電流狭窄構造を有する半導体レーザにおいて、前記通電領域および前記電流狭窄領域にわたる電流狭窄層を有し、前記電流狭窄領域の電流狭窄層の厚みは前記通電領域の電流狭窄層の厚みよりも厚く、前記電流狭窄領域の電流狭窄層は酸化層であって、前記通電領域の電流狭窄層は実質的に酸化されていないことを特徴とする半導体レーザ。