特許

J-GLOBAL ID：200903035847662526

多層TiN膜の形成方法

発明者： 李 將 銀 ,  鄭 周 赫 ,  徐 泰 旭
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-206838
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068232
出願日： 1999年07月21日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】 多段階CVD方法による多層TiN膜の形成方法及びこれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 下地膜が形成された半導体基板上に多段階CVD方法によって多層TiN膜を形成する。多層TiN膜を形成するために、前記下地膜の直上に第1TiN膜を形成した後、NH3アニーリングして下地膜保護TiN膜を形成し、前記下地膜保護TiN膜上に第2TiN膜を形成した後、NH3アニーリングしてメーンTiN膜を形成する。前記第1TiN膜を形成するために使用されるソースガスは前記第2TiN膜を形成するためのソースガスよりTiCl4ガス対NH3ガス流量比がさらに小さい。本発明に係る多層TiN膜を半導体素子の製造に適用するために、半導体基板上にコンタクトホールを備えた絶縁膜を形成する。前記コンタクトホールの内壁にTi膜を形成する。多段階CVD方法で前記Ti膜上に多層TiN膜を形成する。前記多層TiN膜上に金属プラグを形成する。

請求項（抜粋）：

TiCl4対NH3の第1流量比を形成するよう各々第1流量のTiCl4およびNH3よりなる第1混合ガスに基板を露出させることにより、前記基板上に第1TiN膜を蒸着する段階と、NH3のみよりなるガスに前記第1TiN膜を露出させることにより、前記第1TiN膜をアニーリングする段階と、前記第1流量比よりも大きいTiCl4対NH3の第2流量比を形成するよう各々第2流量のTiCl4およびNH3よりなる第2混合ガスに前記第1TiN膜を露出させることにより、前記第1TiN膜の上に第2TiN膜を蒸着する段階とを含むことを特徴とする多層TiN膜の形成方法。