半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井ノ口壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-070255
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235277
出願日： 1992年02月19日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】半導体集積回路装置における抵抗素子の温度特性による抵抗値変化を小さくする。【構成】比抵抗の温度特性がα,βおよびγの値を有するポリシリ1,2および3が縦積みに並列接続されている。端部に層間接続孔5が形成されており、この部分によって各ポリシリ抵抗素子の接続が行われ、アルミ4により引き出されている。これにより温度特性を相殺している。

請求項（抜粋）：

抵抗の温度特性が正および負の値を有する複数種類のポリシリ層を抵抗素子とし、前記複数種類のポリシリ抵抗素子をポリシリ層間接続孔を介して接続して構成したことを特徴とする半導体集積回路装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭61-238232
特開昭59-037948

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