特許
J-GLOBAL ID：200903035855238741
接続孔の埋め込み方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-012175
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224309
出願日： 1993年01月28日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】深さの異なる接続孔を同時に埋め込み、しかも少ない工程数で配線形成を行う。【構成】シリコン基板1を気相化学成長装置に設置し、真空排気した後四塩化チタン6のガスにさらすと、基板表面に四塩化チタン分子が吸着する。真空一貫で基板にアルゴンイオンビーム7を照射すると、接続孔部以外の四塩化チタン分子は気相に脱離する。続いて、真空一貫でジメチルアルミニウムハイドライドを用い、選択気相化学成長を行うと第1の接続孔4及び第2の接続孔5内にAl膜8が堆積する。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面に形成された絶縁膜をパターニングし接続孔を形成する工程と、この接続孔を含む全面を有機チタンガスに晒したのちイオンビームに晒す工程と、金属膜の選択気相化学成長を行ない前記接続孔内のみに金属膜を堆積させる工程とを含むことを特徴とする接続孔の埋め込み方法。
IPC (4件)：
H01L 21/90
, C30B 25/14
, H01L 21/205
, H01L 21/285 301
