特許
J-GLOBAL ID:200903035855845923

透明導電性積層体

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-042670
公開番号(公開出願番号):特開平9-234816
出願日: 1996年02月29日
公開日(公表日): 1997年09月09日
要約:
【要約】【解決手段】 ポリアリレート成形物上に、主としてインジウムとスズからなる酸化物で構成される比抵抗1×10-2Ω・cm以上かつ非晶質の透明導電層を、高酸素濃度雰囲気下でスパッタリング法により形成し、処理により該層を比抵抗1×10-2Ω・cm未満かつ非晶質の透明導電層とすることを特徴とする透明導電性積層体。【効果】 透明導電性積層体を形成したときに熱処理、湿熱処理によりその電気抵抗値が変化してしまうポリアリレートを基体として用いても、耐熱性、耐湿熱性に優れる透明導電性積層体が得られる。
請求項(抜粋):
ポリアリレート成形物上に、少なくとも主としてインジウムとスズからなる酸化物で構成される比抵抗1×10-2Ω・cm以上かつ非晶質の透明導電層を設けた透明導電性積層体であって、該透明導電層は、処理により該層を比抵抗1×10-2Ω・cm未満かつ非晶質となる透明導電層であることを特徴とする透明導電性積層体。
IPC (4件):
B32B 9/00 ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 27/36 ,  H01B 5/14
FI (4件):
B32B 9/00 A ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 27/36 ,  H01B 5/14 A

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