半導体レーザー素子端面の反射鏡およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-244376
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097570
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】近紫外領域から可視短波長領域で発振する半導体レーザー素子の最適な動作に不可欠な端面の反射鏡およびその形成方法を提供すること。【構成】 RFマグネトロンスパッタリング装置を用い、ZnSe系半導体レーザー素子の端面に、発振波長での反射率が90%以上になるよう、光学厚さが発振波長の1/4であるSiO2、TiO2膜を交互に蒸着する操作を3回繰り返し、誘電体反射鏡を形成し、従来の(b)の電気-光出力特性が(a)の特性を得た。

請求項（抜粋）：