特許

J-GLOBAL ID：200903035865605017

半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 藤原 章裕
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-311616
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123435
出願日： 2005年10月26日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：

【課題】 チップサイズが小さく、且つ十分な信頼性が得られる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 LED11は、{100}面から<011>方向に5度乃至30度傾斜した主面と、ヘキ開面に対して30度乃至60度の方向に切断された側面とを有する半導体基板12と、半導体基板12の主面上に設けられpn接合を有する発光層13と、発光層13上に形成された第1電極14と、主面に対向する半導体基板12の裏面に形成された第2電極15とを具備する。発光層13側から半導体基板12に至る第1の溝を形成した後、発光層13の破砕層を除去する。次に、半導体基板12側から第2の溝を形成した後、半導体基板12の破砕層を除去する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

{100}面から<011>方向に5度乃至30度傾斜した第1主面と、ヘキ開面に対して30度乃至60度の方向に傾斜した側面とを有する半導体基板と、 前記半導体基板の第1主面上に設けられpn接合を有する発光層と、 前記発光層上に形成された第1電極と、 前記第1主面に対向する前記半導体基板の第2主面に形成された第2電極と、 を具備することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 B ,  H01L33/00 A

Fターム (15件)：

5F041AA43 ,  5F041AA47 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA37 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA93

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許出願公開第2005/0017250A1号明細書
  
• 米国特許第6、897、126B2号明細書