特許
J-GLOBAL ID：200903035868326801
非晶質シリコン合金膜の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-063761
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275538
出願日： 1993年03月23日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】 2種以上の原料ガスを周期的に流すことにより、該原料ガスに対応する超薄膜をプラズマCVD法に従い繰り返し形成し、超薄膜を積層することによって非晶質シリコン合金膜を形成する方法において、欠陥が少なく膜特性に優れた非晶質シリコン合金膜を形成する。【構成】 原料ガスの種類に応じて、原料ガスの水素希釈率及び薄膜形成表面への超音波印加の少なくとも一方を変化させる。
請求項（抜粋）：
2種以上の原料ガスを周期的に流すことにより、該原料ガスに対応する超薄膜をプラズマCVD法に従い繰り返し形成し、超薄膜を積層することによって非晶質シリコン合金膜を形成する方法において、前記原料ガスの種類に応じて、該原料ガスの水素希釈率及び薄膜形成表面への超音波印加の少なくとも一方を変化させて前記非晶質シリコン合金膜を形成することを特徴とする、非晶質シリコン合金膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/24
, C23C 16/50
