特許
J-GLOBAL ID：200903035869387723
半導体発光素子およびその製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-202479
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064912
出願日： 1994年08月26日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 基板面に対して垂直にエッチングされた側面が、半導体レーザや側面から発光するLEDなどの発光特性を向上することができるチッ化ガリウム系化合物半導体を用いた半導体発光素子およびその製法を提供する。【構成】 R面もしくはM面を主面とするサファイア基板1上に少なくともn型層およびp型層を含み発光部(活性層)を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層2〜7を積層し、該基板1に垂直にエッチングして、該エッチングされた側面から光をとり出す半導体発光素子において、その光をとり出す側面が前記チッ化ガリウム系化合物半導体の(0001)結晶面であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
サファイア基板のR面またはM面上に積層されたチッ化ガリウム系化合物半導体層を構成要素とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
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