特許
J-GLOBAL ID：200903035870959234
パターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-288530
公開番号（公開出願番号）：特開平6-138669
出願日： 1992年10月27日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 シリル化時の露光、未露光部のコントラストを明確にして形状のよいレジストパターンを形成する。【構成】 基板1上に、ナフトキノンジアジドと樹脂よりなるレジスト2を塗布し、樹脂同士またはナフトキノンジアジドと樹脂が架橋するような加熱を行なう工程と、所望のマスク4を用いてパターン露光を行う工程と、前記レジスト1のパターン露光部にSiを含む単分子層を形成する工程と、前記レジストを選択的にドライエッチングにより現像してレジストパターン2Aを形成する工程とを備えたパターン形成方法であり、露光、未露光部のコントラストのついたシリル化により、形状のよいパターン形成が実現でき、工業的に歩留りのよいデバイス製造につながる。
請求項（抜粋）：
基板上に、ナフトキノンジアジドと樹脂よりなるレジストを塗布し、樹脂同士またはナフトキノンジアジドと樹脂が架橋するような加熱を行なう工程と、所望のマスクを用いてパターン露光を行う工程と、前記レジストのパターン露光部にSiを含む単分子層を形成する工程と、前記レジストを選択的にドライエッチングにより現像してレジストパターンを形成する工程とを備えたことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
G03F 7/38 512
, H01L 21/027
