特許
J-GLOBAL ID：200903035874472046
積層チップインダクタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
和田 昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-255001
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086039
出願日： 1993年09月17日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 偏差が小さく、Q値の大きい高周波向けの積層チップインダクタを提供する。【構成】 低温焼結セラミックスのグリーンシート14,15,16の表面に導電抵抗の低い材料を用いて内部電極11,12,13を設け、上部にグリーンシート19を重ねて焼結することにより多層基板を形成し、前記内部電極11,12,13をミアンダ形状に形成することにより、自己共振周波数が高く、狹偏差で安定したインダクタンスが得られ、Q値の大きい高周波向けの積層チップインダクタとなる。
請求項（抜粋）：
低温焼結セラミックスを用いた多層基板の内部に、導電抵抗の低い材料を用いて内部電極をその両端を多層基板の外面に引き出すようにして設け、この内部電極をミアンダ形状に形成したことを特徴とする積層チップインダクタ。
引用特許：
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