アナターゼ型結晶構造の酸化チタン単結晶薄膜の作製法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：社本一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-213765
公開番号（公開出願番号）：特開2002-030417
出願日： 2000年07月14日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】アナターゼ型結晶構造の二酸化チタン単結晶膜を作製する方法に関するものであり、二酸化チタンの薄膜を単結晶化することにより膜内の結晶欠陥などを軽減させ、光触媒反応効率なとの特性を向上させようとするものである。即ちその単結晶薄膜を光触媒として用いることにより窒素酸化物等の有害ガスの分解、除去を行う反応効率の向上を目的としている。【解決手段】レーザアブレーション成膜法により、ランタンアルミネート(LaAlO3)、酸化マグネシウム(MgO)、安定化ジルコニア(YSZ)、LSAT([LaAlO3])0.3- [SrAl0.5Ta0.5O3]0.7)単結晶基板上にアナターゼ型結晶構造の二酸化チタン(TiO2)単結晶薄膜を作製する方法であって、アナターゼ型結晶構造の二酸化チタン単結晶薄膜を形成させる基板温度は、360°C〜520°Cに制御され、酸素ガス圧は10mTorr〜100mTorrに制御する。

請求項（抜粋）：

レーザアブレーション成膜法により、ランタンアルミネート(LaAlO3)、酸化マグネシウム(MgO)、安定化ジルコニア(YSZ)、LSAT([LaAlO3])0.3- [SrAl0.5Ta0.5O3]0.7)単結晶基板上にアナターゼ型結晶構造の二酸化チタン(TiO2)単結晶薄膜を作製する方法。

IPC (10件)：

C23C 14/08 , B01D 53/86 , B01J 19/12 , B01J 21/10 , B01J 23/10 , B01J 23/20 , B01J 35/02 , C01G 23/07 , C23C 14/28 , C30B 29/16

FI (11件)：

C23C 14/08 E , B01J 19/12 G , B01J 21/10 A , B01J 23/10 A , B01J 23/20 A , B01J 35/02 J , C01G 23/07 , C23C 14/28 , C30B 29/16 , B01D 53/36 J , B01D 53/36 C

Fターム (81件)：

4D048AA06 , 4D048BA01X , 4D048BA01Y , 4D048BA07X , 4D048BA07Y , 4D048BA08X , 4D048BA08Y , 4D048BA14X , 4D048BA14Y , 4D048BA18X , 4D048BA18Y , 4D048BA24X , 4D048BA24Y , 4D048BA41X , 4D048BA41Y , 4D048BA42X , 4D048BA42Y , 4D048BB01 , 4D048EA01 , 4G047CA02 , 4G047CB04 , 4G047CC03 , 4G047CD02 , 4G047CD07 , 4G069AA08 , 4G069AA14 , 4G069AA15 , 4G069BA04A , 4G069BA04B , 4G069BA05A , 4G069BA05B , 4G069BA06A , 4G069BA06B , 4G069BA48A , 4G069BB06A , 4G069BB06B , 4G069BC12A , 4G069BC12B , 4G069BC16A , 4G069BC16B , 4G069BC42A , 4G069BC42B , 4G069BC56A , 4G069BC56B , 4G069CA13 , 4G069EA08 , 4G069EC22X , 4G069EC22Y , 4G069EE01 , 4G069FA03 , 4G069FA08 , 4G069FB02 , 4G075AA24 , 4G075AA30 , 4G075AA63 , 4G075BB02 , 4G075BB03 , 4G075BB07 , 4G075BC05 , 4G075BD14 , 4G075CA02 , 4G075CA05 , 4G075CA36 , 4G075CA62 , 4G077AA03 , 4G077BB04 , 4G077DA03 , 4G077EA02 , 4G077EA07 , 4G077ED06 , 4G077SA04 , 4G077SA07 , 4K029AA04 , 4K029BA48 , 4K029BB07 , 4K029BB09 , 4K029BD00 , 4K029CA02 , 4K029DB20 , 4K029EA03 , 4K029EA08

引用文献：

審査官引用 (3件)

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