特許

J-GLOBAL ID：200903035882909828

半導体メモリ回路

発明者： 犬飼 英守
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-235259
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074140
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【構成】メモリ素子及びメモリ周辺回路3に電圧を供給するにあたり、外部供給電源電圧VCCを入力して内部電圧を発生させるレギュレータ回路1を設ける。このレギュレータ回路1は内部降圧回路として機能する。また、このレギュレータ回路1とは別に低インピーダンススイッチ2を設け、レギュレータ1の出力とは異なる電圧をメモリ素子及びメモリ周辺回路3に供給する。これらの異なる電圧は選択的に供給される。【効果】電圧変動範囲に対してより一層安定した設計を可能にするとともに、大容量半導体メモリの信頼性試験を容易に実現できる。

請求項（抜粋）：

メモリ素子及びメモリ周辺回路と、外部供給電源電圧を入力して内部電圧を発生させるレギュレータ回路と、前記外部供給電源電圧を直接、内部電源電圧として供給する低インピーダンススイッチとを有し、前記レギュレータ回路の出力電圧あるいは前記低インピーダンススイッチを介した電圧を内部電源電圧として使用することを特徴とする半導体メモリ回路。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-192998
  
• 特開昭62-232155
  
• 特開昭60-103587
  
• 特開平2-285811