特許
J-GLOBAL ID：200903035883933390
半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-050777
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259146
出願日： 1992年03月09日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 洗浄部において良好な再現性をもってシリコン基板表面の酸化膜を除去し、かつ、前記洗浄部のフッ化水素成分がエピタキシャル成長装置側に漏洩することがない半導体製造装置の提供。【構成】 フッ化水素水を含む洗浄液でシリコン基板を洗浄する洗浄部5及び洗浄したシリコン基板を乾燥する乾燥部6を有する洗浄装置1と、シリコン基板上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル成長装置3を含む半導体製造装置において、洗浄装置1とエピタキシャル成長装置3間に、洗浄装置1内のフッ化水素成分をエピタキシャル成長装置3側に漏洩させない接続装置2を配置し、接続装置2は開閉可能な一対の接続部8、9とそれらの間に配置の搬送室7からなり、搬送室7の雰囲気圧力を洗浄装置1内の雰囲気圧力よりもやや高く設定している。
請求項（抜粋）：
フッ化水素水を含む洗浄液によりシリコン基板を洗浄する洗浄部及び前記洗浄したシリコン基板を乾燥する乾燥部とを有する洗浄装置と、シリコン基板上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル成長装置とを含む半導体製造装置において、前記洗浄装置と前記エピタキシャル成長装置との間に、前記洗浄装置内のフッ化水素成分を前記エピタキシャル成長装置側に漏洩させない接続装置を配置したことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 351
, H01L 21/304 341
