特許
J-GLOBAL ID：200903035885734298
半導体量子ドット素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
三好 秀和
, 山田 賢二
, 伊藤 市太郎
, 桂田 健志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-304978
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079182
出願日： 2003年08月28日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】均一性の高い量子ドットの作製条件を見つけることにより、フォトルミネッセンス半値幅を極限まで狭めることができる半導体量子ドット素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に結晶成長により形成された第1の半導体バッファ層と、第1の半導体バッファ層上に結晶成長により形成され、第1の半導体バッファ層と格子定数が異なり、且つ、3次元成長が生じない膜厚を積層してなる第2の半導体バッファ層と、第2の半導体バッファ層上に形成され、単原子層平坦化が生じる膜厚を有する第3の半導体バッファ層と、第3の半導体バッファ層上に形成され、第3の半導体バッファ層と格子定数が異なり、且つ3次元成長が生じる臨界膜厚以上の膜厚を積層してなる量子ドット層を有すること第3の半導体バッファ層の表面に2次元方向の様々な方向にステップを密に形成することができる。これにより量子ドットを2次元面内に均一且つ密に結晶成長させることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に結晶成長により形成された第1の半導体バッファ層と、
前記第1の半導体バッファ層上に結晶成長により形成され、前記第1の半導体バッファ層と格子定数が異なり、且つ、3次元成長が生じない膜厚を積層してなる第2の半導体バッファ層と、
前記第2の半導体バッファ層上に形成され、単原子層平坦化が生じる膜厚を有する第3の半導体バッファ層と、
前記第3の半導体バッファ層上に形成され、前記第3の半導体バッファ層と格子定数が異なり、且つ、3次元成長が生じる臨界膜厚以上の膜厚を積層してなる量子ドット層とを有することを特徴する半導体量子ドット素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (19件)：
5F045AA04
, 5F045AA05
, 5F045AB10
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AC08
, 5F045AD09
, 5F045AD10
, 5F045AD11
, 5F045BB18
, 5F045DA53
, 5F045DA56
, 5F073AA75
, 5F073BA01
, 5F073CA02
, 5F073CA07
, 5F073CB07
, 5F073HA02
, 5F073HA10
