特許

J-GLOBAL ID：200903035887841830

半導体ウェハ処理装置

発明者： 大國 充弘
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-015468
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214364
出願日： 1998年01月28日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 真空室を有する半導体ウェハ処理装置において、真空室内のダストの原因となる微粒子を積極的に帯電させることにより、電気力線を発生させてイオンの流れを形成し、微粒子を効率的に除去する。【解決手段】 真空室11を備えるとともに、この真空室11内には真空排気口14が開設されている半導体ウェハ処理装置において、真空室11に、ガスまたは微粒子を帯電させる電極21,22が設置されている。

請求項（抜粋）：

真空室を備えるとともに、この真空室内には真空排気口が開設されている半導体ウェハ処理装置において、前記真空室に、ガスまたは微粒子を帯電させる電極が設置されていることを特徴とする半導体ウェハ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/68 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/205