特許
J-GLOBAL ID：200903035888018224
ソ-ス/ドレイン領域とチャンネル領域との間に障壁を有する横型MOSFET
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-377027
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261068
出願日： 1998年12月07日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 ソース/ドレイン領域とチャンネル領域との間に障壁を有する横型MOSFETとその製造法を提供する。【解決手段】 2個の層の盛り上がったソース/ドレイン領域106がゲート構造体112に隣接して配置される。前記盛り上がったソース/ドレイン領域の第1層106aに最初にP形不純物が添加され、そして前記盛り上がったソース/ドレイン領域の第2層106bにN形不純物が添加される。第1層106aからのP形添加不純物が基板の中に拡散されて、ポケット障壁領域105が作成される。第2層106bからのN形添加不純物が第1層106aの中に拡散して前記第1層106aをN形にし、および前記基板の中に拡散してソース/ドレイン接合領域104を形成する。したがってP形ポケット障壁領域105により、前記ソース/ドレイン接合領域104と前記チャンネル領域108との間に障壁が得られる。
請求項（抜粋）：
基板の定められたチャンネル領域の上にゲート構造体を作成する段階と、前記チャンネル領域に隣接する前記基板の上の領域に盛り上がったソース/ドレイン領域の第1層を作成する段階であって、前記第1層が第1導電型の添加不純物を有する、前記段階と、前記第1層の上に前記盛り上がったソース/ドレイン領域の第2層を作成する段階であって、前記第2層が第2導電型の添加不純物を有する、前記段階と、を有する、横型トランジスタを作成する方法。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 S
, H01L 29/78 301 G
