特許
J-GLOBAL ID：200903035891762651
プラズマ発生方法およびその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-072653
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045094
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 高真空の下で高密度で均一性に優れ、これにより微細加工性が向上すると共にデバイスへの損傷が少ないプラズマを発生させる。【構成】 複数の側方電極5〜8に周波数が同じで位相が順次異なる高周波電力を印加することにより高周波回転電場を励起して、プラズマ発生部内を並進する電子に振動又は回転運動をさせる。また、プラズマ発生部に試料台2に対してほぼ垂直な方向の磁場を印加することにより、プラズマ発生部内で前記の振動又は回転運動をする電子にサイクロトロン旋回運動をさせ、これにより、電子を該プラズマ発生部内に閉じ込めておく。
請求項（抜粋）：
真空室のプラズマ発生部の側方に複数の側方電極を配置する電極配置工程と、前記側方電極に周波数が同じで位相が異なる高周波電力を印加することにより前記プラズマ発生部に該プラズマ発生部内を並進する電子に振動又は回転運動をさせる高周波回転電場を励起する電場励起工程と、前記プラズマ発生部内の電子の並進する振動又は回転運動を前記プラズマ発生部内を旋回する振動又は回転運動に変換させるような前記高周波回転電場の作用面に対してほぼ垂直な磁場を前記プラズマ発生部に印加する磁場印加工程とによって、前記プラズマ発生部内の電子を該プラズマ発生部内に閉じ込めておくことを特徴とするプラズマ発生方法。
IPC (4件)：
H05H 1/46
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/302
