特許

J-GLOBAL ID：200903035905035391

圧力/温度センサ及び圧力/温度複合検出素子

発明者： 根本 道夫
出願人/特許権者： 株式会社トーキン
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-355699
公開番号（公開出願番号）：特開2001-174352
出願日： 1999年12月15日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】 製造コストを低減でき、小型化が図れる圧力/温度センサを提供することである。【解決手段】 圧力検出素子として機能するシリコン基板1のダイヤフラム部7を除く領域の所定の範囲に絶縁薄膜91を形成し、その上に薄膜温度検出素子92を新たに形成し、その抵抗-温度特性を利用して温度を検出する。

請求項（抜粋）：

ダイヤフラム部を有するシリコン基板と電極部が形成された絶縁基板とが接合されて構成された圧力検出素子部分と、前記のシリコン基板の上であって、かつ前記ダイヤフラム部を除く領域に形成された絶縁薄膜上に形成された薄膜温度検出素子とによって複合的に形成されていることを特徴とする圧力/温度複合検出素子。

IPC (2件)：

G01L 9/12 ,  H01L 29/84

FI (2件)：

G01L 9/12 ,  H01L 29/84 B

Fターム (15件)：

2F055AA21 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE25 ,  2F055FF49 ,  2F055GG01 ,  2F055GG11 ,  4M112AA01 ,  4M112AA10 ,  4M112BA07 ,  4M112BA10 ,  4M112CA07 ,  4M112CA15 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02