特許
J-GLOBAL ID：200903035909559816
シリコンウェハを利用したプローブカード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-006797
公開番号（公開出願番号）：特開平6-213930
出願日： 1993年01月19日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 半導体集積回路のウェハ状態での試験に利用されるプローブカードのうち、シリコンウェハを利用して作成されるプローブカードにおいて、プローブカード上の金属層と測定される集積回路上の電極用金属との接触抵抗を低減する。【構成】 プローブカードにおいて、シリコンウェハ1が支持体となる。シリコンウェハ上に形成されたカンチレバー2はウェハ上の被測定素子(DUT)の金属パッドに押しあてられる金属層4を保持する役割を果たし、測定に必要となるDUTの上の金属パッドの数だけ用意される。透明絶縁膜3は、シリコンウェハの上側から空気圧を印加する際にもれを生じないように封止する役割、DUT上の金属パッドの位置をプローブカードの上から見ることができるようにする役割、および、金属層4とシリコンウェハとの導通を防止することによって金属層4同士がシリコンを通して短絡することを防ぐ役割をする。
請求項（抜粋）：
シリコンウェハに形成されたプローブカードにおいて、先端が尖った金属層4と、それを保持するためにシリコンで形成されたカンチレバー2と、その両者の間にはさまれた透明絶縁層3を持つことを特徴とするプローブカード。
IPC (2件)：
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