特許

J-GLOBAL ID：200903035916251789

薄膜トランジスタ

発明者： 青江 弘行
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-173117
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021455
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【構成】 本発明のTFTは、半導体活性領域5aの上側及び下側のみならず、対向する側面をも連続的に被覆したゲート絶縁膜4、6及びゲート電極膜3、8を設けることにより、半導体活性領域5aの2つの側面部分の存在によってチャンネル幅を実効的に拡大できると共に、上側と下側のゲート電極が2つの側面部分ゲート電極で電気的に結合されている。【効果】 本発明のTFTの構成によれば、上側と下側のゲート電極をTFTの両側面で連結しているので、これら電極の内の一方が短絡して電気的に孤立してしまう事故を回避でき、信頼性が向上する。

請求項（抜粋）：

薄膜状の半導体領域、該半導体領域の上下及び対向する側面を連続的に被覆した環状のゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜の表面を連続的に被覆した環状のゲート電極、上記半導体領域の一端に連結したソース電極、並びに上記半導体領域の他端に連結したドレイン電極を具備してなる薄膜トランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-017964
  
• 特開昭60-107862
  
• 特開平2-302044
  
• 特開平3-054865