特許

J-GLOBAL ID：200903035922277765

半導体装置の製造方法

発明者： 鈴木 篤
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-215129
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067760
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 PMOSトランジスタのp型ゲート電極から基板へのホウ素等のp型不純物の拡散を防止することが可能なゲート絶縁膜を形成する。【解決手段】 シリコン酸化膜22を酸窒化または窒化することによりシリコン酸窒化膜23を形成する。シリコン酸化膜の酸窒化は一酸化二窒素(N2 O),一酸化窒素(NO)または二酸化窒素(NO2 )ガスの雰囲気中で行い、また、窒化は窒化アンモニア(NH3 )ガスからなる雰囲気中において行う。続いて、シリコン酸窒化膜23を酸化させる。これによりシリコン酸窒化膜の膜厚が例えば8nmに増加すると共に、シリコン酸窒化膜とシリコン基板21との界面にあった窒素高濃度層23aがシリコン酸窒化膜の中心部へと相対的に移動し、シリコン酸窒化膜中のシリコン基板との界面付近の窒素濃度が低下する。そののち、シリコン酸窒化膜の上層のエッチングを行うことにより、最表面に窒素高濃度層を有するシリコン酸窒化膜(ゲート絶縁膜)を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の表面を酸化してシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜を酸窒化または窒化することによりシリコン酸窒化膜を形成する工程と、前記シリコン酸窒化膜を酸化することにより前記シリコン酸窒化膜を成長させる工程と、前記成長させたシリコン酸窒化膜の上層部分を除去することにより前記シリコン酸窒化膜内の窒素濃度が高い層を表面に露出させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/318 C ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/316 P ,  H01L 29/78 301 G