特許
J-GLOBAL ID：200903035924286761
半導体集積回路装置の配線の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-021147
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236879
出願日： 1993年02月09日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、CVD技術を用いた半導体装置の配線の形成方法に関するものであり、特に、基板上にCuを選択的に堆積させるを提供することを目的とする。【構成】 本発明は、半導体集積回路装置の配線の形成方法において、配線を形成する所定の位置にPdの粒を堆積させる工程と、ヘキサフルオロアセチルアセトンを供給し、水素雰囲気中で化学気相成長法により所定の位置にCu又はCu合金を堆積させて配線を形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
配線を形成する所定の位置にVIII族金属を堆積させる工程と、 有機銅化合物原料を供給し、水素雰囲気中で化学気相成長法により前記所定の位置にCu又はCu合金を堆積させて前記配線を形成することを特徴とする半導体集積回路装置の配線の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/205
