特許

J-GLOBAL ID：200903035938148388

半導体装置およびその製造方法

発明者： 松木 武雄 ,  林 喜宏
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-144273
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017822
出願日： 1994年06月27日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 酸化物強誘電体の上部電極の加工性を向上させ、同時にコンタクト孔の洗浄プロセスとの整合性をはかる。【構成】 強誘電体をはさむ上下電極のうち上部電極をPt110とWSi2 111の積層構造にし、強誘電体109に接するPt110を薄くする。Ptを薄くすることで加工性が向上する。また、最上層の電極材をWSi2 、PdSi2 、PiS等のふっ酸水溶液に不溶または難溶の金属シリサイドとすることで、その下の電極材をPt以外の加工性の良いW、Ti、TiN、TiW、Al、Al合金を利用することができ、電極加工性をより向上させることが可能になる。また、ふっ酸によるコンタクト孔の洗浄が可能になり良好なコンタクト特性が得られる。最上層のシリサイド111を加工のマスクとして酸化膜112を用いることで、上部積層電極材料としてPtを用いてもパターン上への側壁堆積物の残留を防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

強誘電体が半導体基板上に集積された半導体装置において、前記強誘電体を挟む上・下部電極のうち上部電極の構造が積層構造でかつ、上部電極の最上層の材料がふっ酸に不溶または離溶のシリサイドであり、かつ、その最上層のシリサイド層の厚みがそれより下の層の厚みより厚いことを特徴とする半導体装置。

IPC (11件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J ,  H01L 29/78 371