特許

J-GLOBAL ID：200903035946877992

高周波集積回路

発明者： 門脇 好伸
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-225674
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086851
出願日： 1993年09月10日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 高周波集積回路のインピーダンス整合を電気的に調整し、特性「ばらつき」を補償した高性能な高周波集積回路を得る。【構成】 能動素子1(FET),および該能動素子1のインピーダンス整合用の回路7a,7bが形成されてなる集積回路基板8上に、可変容量素子30a,30bを形成し、可変容量素子30a,30bに印加する電圧を調整して容量を可変し、該可変容量素子30a,30bを高周波集積回路のインピーダンス整合回路7c,7dに付加することで、インピーダンス整合の調整を実現する。【効果】 高周波集積回路の高周波特性の「ばらつき」の補償と、高周波特性の最適化が可能となる。

請求項（抜粋）：

高周波集積回路において、半導体基板上に形成された能動素子と、上記半導体基板上に形成され、上記能動素子のインピーダンス整合を行なう高周波回路と、上記半導体基板上に形成され、上記高周波回路のインピーダンス整合の調整を行なうための可変容量素子とを備えたことを特徴とする高周波集積回路。

IPC (5件)：

H03F 3/60 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/06 ,  H03F 3/195

FI (2件)：

H01L 27/04 F ,  H01L 27/06