特許

J-GLOBAL ID：200903035947497840

半導体装置の製造方法

発明者： 平井 匡彦
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
代理人 (1件)： 森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-183894
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036115
出願日： 1995年07月20日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】層間絶縁膜の形成を容易に行え、その層間絶縁膜の誘電率を低く抑えることができ、しかも配線加工も容易に行えるようにする。【解決手段】シリコン基板1の表面に酸化シリコン膜2を形成し、次いで、その酸化シリコン膜2上に感光性ポリイミド樹脂をコーティングして感光性樹脂層としての感光性ポリイミド樹脂層3を形成する。次いで、感光性ポリイミド樹脂層3に、配線パターンに対応した溝4を形成し、その溝4が埋め込まれるように、感光性ポリイミド樹脂層3を銅薄膜で覆う。そして、銅薄膜5の表面を、例えばケミカル・メカニカル・ポリッシング法により研磨して、感光性ポリイミド樹脂層3の表面を露出させる。すると、溝4内に銅薄膜が残ることになるから、これらを配線5Aとして利用し、各配線5A間を、感光性ポリイミド樹脂層3によって絶縁する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された絶縁膜上に感光性樹脂層を形成し、その感光性樹脂層に配線パターンに対応する溝を形成した後に、その溝が埋め込まれるように前記感光性樹脂層を配線用材料膜で覆い、そして、その配線用材料膜を、前記感光性樹脂層の表面が露出するまで研磨する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/90 S