特許
J-GLOBAL ID：200903035949020839
半導体装置とこれを用いた液晶表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松田 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-347182
公開番号（公開出願番号）：特開平5-181162
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板のTFTのゲート電極のAlのヒロックを防止し、低リーク電流の陽極酸化膜の形成を可能にしてゲート電極とソース電極との短絡不良を抑制すること。【構成】ガラス基板1上に2%のTaを含むAlよりなるゲート電極2を形成し、ゲート電極2を被覆するように陽極酸化法により酸化アルミニウムゲート絶縁層3を形成し、非晶質シリコン半導体層5を窒化シリコンゲート絶縁膜4を介して形成し、液晶に電圧を印加する透明表示電極8を形成し、さらにTiおよびAlよりなるソース、ドレイン電極7a、7bをリンを含む非晶質シリコン半導体層6a、6bを介して形成し、ドレイン電極7bを透明表示電極8に接続する。
請求項（抜粋）：
基板の一主面上にAlを主成分とする第1の導電体層が選択的に形成され、前記第1の導電体層の表面に陽極酸化により酸化膜が形成され、絶縁薄膜層を介してシリコンを主成分とする第1の非単結晶半導体層が前記第1の導電体層と一部重なるように選択的に形成され、第2の導電体層がリンを含むシリコンを主成分とする第2の非単結晶半導体層を介して前記第1の非単結晶半導体層と一部重なるように形成された半導体装置であって、前記第1の導電体層が陽極酸化可能な高融点金属を不純物として含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, H01L 27/12
, H01L 29/40
, H01L 29/784
