特許
J-GLOBAL ID：200903035949953509
酸化シリコン系誘電体膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-122647
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313003
出願日： 1997年05月13日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：
【要約】【課題】 半導体デバイスの層間絶縁膜として用いられる酸化シリコン系誘電体膜の低誘電率化と長期信頼性とを両立させる。【解決手段】 モノメチルシラン/過酸化水素系の成膜ガスを使用し、Al系配線パターン2を直接被覆する耐湿性に優れる第1SiOx膜3p はプラズマCVDで、その上を被覆してウェハWの表面段差を緩和する流動性の高い第2SiOx膜4L は低温のLPCVDで成膜する。第2SiOx膜4L の表面には酸素プラズマ改質処理で改質層6P を形成しても良く、さらにその上に上記と同じ成膜ガス系によるプラズマCVDで第3SiOx膜8P を形成しても良い。いずれのSiOx膜3p , 4L , 8P もシリコンを熱酸化して得られる化学量論的組成の酸化シリコン膜よりも比誘電率が低く、したがって、層間絶縁膜9全体としての比誘電率を低く維持することができる。
請求項（抜粋）：
シリコンを熱酸化して得られる化学量論的組成の酸化シリコン膜よりも比誘電率の低い第1誘電体膜を、基体上の金属配線パターンを被覆するごとくプラズマCVDにより成膜する第1工程と、前記プラズマCVDで用いた成膜ガスと同一成分からなる成膜ガスを用いて減圧CVDを行うことにより、前記第1誘電体膜よりさらに比誘電率の低い第2誘電体膜を、該第1誘電体膜上に基体の表面段差を緩和するごとく成膜する第2工程とを有することを特徴とする酸化シリコン系誘電体膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/316 M
, H01L 21/31 C
