特許
J-GLOBAL ID：200903035950301914
完全密着型イメージセンサ及びユニット
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-285759
公開番号（公開出願番号）：特開平6-141129
出願日： 1992年10月23日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 透光性基板の裏面と導電透明膜との間に、導電遮光層を設け、光のクロストークを防ぎ、耐静電気性を向上させ、画像読み取りのS/N比、分解能、および光の転送効率を維持する高性能の完全密着型イメージセンサユニットを提供する。【構成】 表面上に回路導体層を形成した透光性基板と、この透光性基板の表面上に、透明光硬化型絶縁樹脂を介して受光素子を有する半導体イメージセンサチップをフェイスダウンで、その半導体イメージセンサチップ上に形成された取り出し電極が上記回路導体層に当接する構造をし、透光性基板の表面(半導体素子実装面)に遮光層を設けることによって、迷光が発生しにくい構造にする。透光性基板の裏面と原稿との間に、導電遮光層と導電透明膜とを設け、この導電透明膜を原稿密着面にし、 光源からの原稿搬送方向から入射角σは半導体素子の真上(入射角0度)から入射角30度まで照射し、照明原稿により照明された原稿からの反射光を透光性基板の表面に設けられた半導体素子に導き、読み取ることができる。
請求項（抜粋）：
読み取るべき原稿を照射する光源と、表面上に回路導体層を形成した透光性基板と、この透光性基板の表面上に、光熱硬化型絶縁樹脂を介して実装した受光素子を有する半導体素子と半導体素子を保護する透明保護層とを備え、光源により照明された原稿からの反射光を透光性基板の表面に実装された半導体素子の受光素子に導き電気信号に変換し、画像を読み取る完全密着型イメージセンサにおいて、上記半導体素子として結晶型シリコンチップを用い、フェイスダウンで、上記半導体素子上に形成された取り出し電極が上記回路導体層に当接する構造で、上記透光性基板の裏面(原稿密着面)において、上記受光素子のある位置から光源方向に一定の距離(第一スリット)をあけ、上記受光素子及び上記第一スリット以外の場所には導電遮光層を設け、さらに上記透光性基板の裏面全面に導電透明膜を形成させ、上記透光性基板の表面(半導体素子実装面)において、上記受光素子のある位置から光源方向に一定の距離(第二スリット)をあけ、上記受光素子及び上記第二スリット以外の場所には遮光層を設け、光源により照明された原稿からの反射光を上記透光性基板の表面に設けられた上記半導体素子の上記受光素子に導くことを特徴とする完全密着型イメージセンサ及びユニット。
IPC (3件)：
H04N 1/028
, H01L 27/14
, H04N 5/335
