特許
J-GLOBAL ID：200903035954099141
半導体集積回路装置、及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-135790
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008402
出願日： 1994年06月17日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：
【要約】【目的】 キャパシタと抵抗素子とからなる直列回路のチップ占有面積を低減する。【構成】 抵抗素子の機能を果たす活性層12の一部をキャパシタ11の下地金属として用いる。【効果】 抵抗素子の一部をキャパシタとして利用しているために、キャパシタと抵抗とを接続する配線が不要となり、またキャパシタ上地金属とこれと接続する配線とを同一部材にて形成できる。
請求項（抜粋）：
基板表面に容量素子と抵抗素子とからなる直列回路を形成してなる半導体集積回路装置において、基板表面に形成された、上記抵抗素子となる第1の導電層と、その一部が上記第1の導電層が形成された領域の上方に位置するよう、上記第1の導電層上に絶縁体を介して形成され、上記第1の導電層とともにキャパシタを構成する第2の導電層とを備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/04 P
, H01L 27/04 C
