特許
J-GLOBAL ID：200903035954998200
磁気抵抗効果素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-093348
公開番号（公開出願番号）：特開平11-298063
出願日： 1998年04月06日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】 使用可能な温度範囲および磁界の測定範囲が広く、高い磁界の検出感度を有するとともに、固定層から生じる静磁界の影響を低減した信頼性の高い磁気抵抗素子を提供することにある。【解決手段】 強磁性材料からなる第1磁性層1、絶縁層2、強磁性材料からなる第2磁性層3、薄膜磁石層である固定層4を備える。第2磁性層3の一端Aと第1磁性層1の一端Bとの間に定電流を流し、第2磁性層3の他端Cと第1磁性層1の他端D間の電圧を測定することにより、該電圧の変化と上記定電流とからトンネル抵抗の変化を検出し、その検出値に基づいて磁界を検出する。
請求項（抜粋）：
二つの強磁性層およびその間に位置する絶縁層からなるトンネルジャンクションを有し、上記二つの強磁性層のうちの一つの強磁性層の磁化が隣接して設けられた永久磁石層で固定されており、かつ該永久磁石層の着磁方向が該永久磁石層を構成しているパターンの長手方向であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G01R 33/06 R
