特許

J-GLOBAL ID：200903035955642817

半導体単結晶棒の製造方法

発明者： 津森 泰生 ,  岩崎 俊夫 ,  内藤 俊太 ,  小島 清 ,  高尾 滋良
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-061924
公開番号（公開出願番号）：特開平6-271388
出願日： 1993年03月22日
公開日（公表日）： 1994年09月27日
要約：

【要約】【目的】 コスト上昇を招くことなく生産効率がよく、かつ品質の優れた半導体単結晶棒の製造方法を提供することにある。【構成】 るつぼ内で溶融する半導体融液に種結晶を接触させ、この種結晶を徐々に引き上げることで半導体単結晶を成長させる半導体単結晶棒の製造方法において、前記種結晶の引上げ速度を周期的に変化させながら単結晶を成長させることを特徴とする半導体単結晶棒の製造方法。

請求項（抜粋）：

るつぼ内で溶融する半導体融液に種結晶を接触させ、この種結晶を徐々に引き上げることで半導体単結晶を成長させる半導体単結晶棒の製造方法において、前記種結晶の引上げ速度を周期的に変化させながら単結晶を成長させることを特徴とする半導体単結晶棒の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 15/22 ,  C30B 29/06 502