特許

J-GLOBAL ID：200903035957751745

ICカード及び薄膜集積回路装置並びにそれらの製造方法

発明者： 井上 聡 ,  下田 達也
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-193197
公開番号（公開出願番号）：特開平11-020360
出願日： 1997年07月03日
公開日（公表日）： 1999年01月26日
要約：

【要約】【課題】 薄くて軽く、さらには可撓性のあるICカードを提供すること。【解決手段】 製造用基板100上に形成された薄膜集積回路を含む被転写層140を、配線18A〜18Cを有するカード基板20に転写してICカード10を製造する方法である。第1工程で、製造用基板100に光照射で剥離する分離層120を形成する。第2工程で、その分離層120上にICカードに搭載される薄膜集積回路を含む被転写層140を形成する。このとき、端子となる部分を露出させて電極露出部141とする。第3工程で、カード基板20上に配線18A〜18Cを形成する。第4工程で、配線18A〜18Cと電極露出部141が導通する位置関係にて、導電性接着剤160によりカード基板20上に被転写層140を接合する。第4工程で、被転写層140より製造用基板100を除去する。

請求項（抜粋）：

製造用基板上に形成された薄膜集積回路を含む被転写層を、カード基板に転写してICカードを製造する方法であって、前記製造用基板上に、分離層を形成する第1工程と、前記分離層上に、前記薄膜集積回路を含む前記被転写層を形成し、かつ、端子となる部分を露出させて電極露出部を形成する第2工程と、前記カード基板上に配線パターンを形成する第3工程と、前記配線パターンと前記電極露出部とが導通する位置関係にて、前記被転写層を前記カード基板に接合する第4工程と、前記分離層を境にして、前記製造用基板を前記被転写層より除去する第5工程と、を有することを特徴とするICカードの製造方法。

IPC (6件)：

B42D 15/10 521 ,  G06K 19/077 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H05K 3/20

FI (5件)：

B42D 15/10 521 ,  H01L 27/12 B ,  H05K 3/20 A ,  G06K 19/00 K ,  H01L 29/78 627 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-262576
  
• 薄膜トランジスタとその製造方法およびアクティブマトリックス基板とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-070879   出願人：大日本印刷株式会社