特許

J-GLOBAL ID：200903035959440984

結晶基板の表面平坦化方法

発明者： 坂本 邦博 ,  安藤 淳
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-250270
公開番号（公開出願番号）：特開平9-087100
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年03月31日
要約：

【要約】【課題】 シリコン単結晶表面の予め決められた領域を原子層レベルで平坦化する。【解決手段】 真空度調節可能な室内に、表面ステップの移動の障害となるような加工を施したシリコン単結晶の基板を、直接通電加熱によって温度制御可能な状態で、保持する。直流通電加熱によってシリコン単結晶基板を高温に保持し、表面ステップを加工部分に集めることによって、基板表面の所望の領域に原子層レベルで平坦な表面を形成する。

請求項（抜粋）：

(001)面からのずれが0.1°以下の表面を持つシリコン単結晶基板の表面に、表面ステップの移動の障害となるような加工を施し、該基板を真空度調節可能な室内に直流通電加熱によって温度制御可能な状態で保持し、前記基板を加熱することにより表面ステップを移動させて、該表面ステップを前記加工を施した部分に集めて、前記基板表面の所望の領域に原子層レベルで平坦な表面を形成することを特徴とする結晶基板の表面平坦化方法。

IPC (3件)：

C30B 33/00 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/02

FI (3件)：

C30B 33/00 ,  C30B 29/06 B ,  H01L 21/02 B