特許

J-GLOBAL ID：200903035961404073

基板処理装置および方法

発明者： 大谷 正美
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-252474
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091185
出願日： 1998年09月07日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 現像処理後のレジスト膜における線巾均一性を向上することができる基板処理装置および方法を提供する。【解決手段】 露光前ベーク部たる加熱処理部HP2にて加熱処理に供される基板Wはホットプレート50に載置されている。加熱処理時には、ベークカバー52のガス吹出孔52aから基板Wに窒素ガスの気流が供給される。その気流は、排気口51aまたは排気口51bのいずれかより択一的に排気される。従って、露光前加熱処理時の基板W上には特定方向の気流の流れが形成される。この基板Wに対し、後工程である露光後加熱処理を行うときには、露光前加熱処理時における前記特定方向とは逆向きの気流の流れを基板W上に形成する。露光前加熱処理時と露光後加熱処理時との間で基板面内の温度勾配の態様が相互に逆となり、現像処理後のレジスト膜における線巾均一性を向上することができる。

請求項（抜粋）：

レジスト塗布後露光前の基板に露光前加熱処理を行う露光前ベーク部と、露光後現像前の基板に露光後加熱処理を行う露光後ベーク部と、を備えた基板処理装置であって、前記露光前加熱処理時における基板上の気流の流れの向きと、前記露光後加熱処理時における前記基板上の気流の流れの向きとを逆向きとすることを特徴とする基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/38 501 ,  G03F 7/38 511

FI (3件)：

H01L 21/30 567 ,  G03F 7/38 501 ,  G03F 7/38 511

Fターム (10件)：

2H096AA25 ,  2H096DA01 ,  2H096FA01 ,  2H096GB03 ,  2H096GB07 ,  2H096GB10 ,  5F046AA17 ,  5F046KA04 ,  5F046KA07 ,  5F046KA10