特許
J-GLOBAL ID：200903035965938447
バンプ電極の形成方法およびそれを用いた半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-085034
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302607
出願日： 1993年04月13日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 電気めっき法によりバンプ電極を形成する前に、同一のめっき槽内において電解エッチングによる洗浄を行うことによってバンプ電極の接着不良要因となるオーミック電極表面の汚染を低減することができるバンプ電極の形成方法およびそれを用いた半導体製造装置を提供する。【構成】 ガラス封止型ダイオードの半導体素子にバンプ電極を形成する対向式のめっき装置であって、めっき液1が貯溜されためっき槽2内に、PN接合が形成されたウェハ3とAg板の陽極板4が浸漬され、このウェハ3と陽極板4との間に定電圧源5が切換スイッチ6により電圧印加方向が切換可能に接続されている。そして、切換スイッチ6により電圧印加方向が切り換えられ、電解エッチングによる前洗浄終了後に直ちに電気めっきによるバンプ電極の形成が行われる。
請求項（抜粋）：
電気めっき法により金属膜上にバンプ電極を形成するバンプ電極の形成方法であって、前記バンプ電極が形成される対象物に対し、電解方向に通電して前記金属膜表面を電解エッチングした後、該電解方向の逆方向に通電して前記電解エッチングされた金属膜上に前記バンプ電極を形成することを特徴とするバンプ電極の形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/321
, C25D 7/12
, C25F 3/02
, H01L 21/288
, H01L 21/306
