特許
J-GLOBAL ID：200903035967606166
プラズマ処理装置およびこれを備えた薄膜の製造装置ならびに製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
香川 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-113008
公開番号（公開出願番号）：特開平11-302833
出願日： 1998年04月23日
公開日（公表日）： 1999年11月02日
要約：
【要約】【課題】本発明は、高密度なプラズマによる処理を容易に実現できるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法ならびにこれを用いた薄膜製造装置および薄膜製造方法を提供する。【解決手段】プラズマを生成するために電圧が印加される電極と、前記電極により生成されるプラズマと電位差を持つ導体面と、前記導体面を挟んで前記電極とは反対側に、前記導体面と平行な磁界成分が閉ループを形成するように配置された磁石と、前記導体面と前記平行な磁界成分との間に被処理物体を保持する機構を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
請求項（抜粋）：
プラズマを生成するための電圧が印加される電極と、該電極により生成されるプラズマと電位差を持つ導体面と、該導体面を挟んで前記電極とは反対側に、かつ前記導体面と平行な磁界成分が閉ループを形成するように配置された磁石と、前記導体面と前記平行な磁界成分との間に被処理物体を保持する機構を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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