特許
J-GLOBAL ID：200903035973985497

欠陥検査方法および欠陥検査装置

発明者：
横山 廣一

横山 廣一 について

, 
村上 浩紀

村上 浩紀 について


出願人/特許権者：
三菱住友シリコン株式会社

三菱住友シリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 工藤 宣幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-167005
公開番号（公開出願番号）：特開2004-012325
出願日： 2002年06月07日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：
【課題】検査時間の短縮及び検査性能の向上を図る。【解決手段】シリコンウエーハ2の表面又は断面等に観察される欠陥の個数を計数する欠陥検査方法である。顕微鏡を使用しない一次元CCDカメラ3にてシリコンウエーハ2の全体を撮影し、その画像情報を2値化処理して欠陥又は汚れの位置を検出し、検出した欠陥等の位置情報をもとに顕微鏡4で細部の検査を行う。上記画像情報を2値化して得られた輝度分布の大きさが設定値以上のとき汚れと判断し、顕微鏡4によって細部の検査を行う際に、上記汚れの位置をずらして他の位置を検査する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
検査対象物の表面又は断面等に観察される欠陥の個数を計数する欠陥検査方法において、 光学系にて検査対象物の表面又は断面等の全体を撮影し、その画像情報から欠陥又は汚れの位置を検出する一次検査と、 当該一次検査で検出した欠陥等の位置情報をもとに顕微鏡で細部の検査を行う二次検査とを備えたことを特徴とする欠陥検査方法。
IPC (2件)：
G01N21/956 ,  H01L21/66
FI (2件)：
G01N21/956 A ,  H01L21/66 J
Fターム (24件)：
2G051AA51 ,  2G051AB02 ,  2G051AC02 ,  2G051BB05 ,  2G051CA03 ,  2G051CA04 ,  2G051CA07 ,  2G051CA11 ,  2G051CD02 ,  2G051DA01 ,  2G051DA07 ,  2G051EA11 ,  2G051EA16 ,  2G051ED08 ,  4M106AA01 ,  4M106CA38 ,  4M106CA70 ,  4M106DA15 ,  4M106DB04 ,  4M106DB07 ,  4M106DB11 ,  4M106DB18 ,  4M106DJ11 ,  4M106DJ21
引用特許：
審査官引用 (6件)
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