特許

J-GLOBAL ID：200903035981887399

デバイスの製造方法

発明者： ドゥケ ヨルト オーストラ ,  ヘラルダス ヨハネス レーンデルト オウェルリング ,  ヨゼフ ヤコブス マリア オッテンハイム ,  ヨハンナ マリア ランベティナ ファン ローエイ ムルデル
出願人/特許権者： エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-252881
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206052
出願日： 1992年09月22日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】 或る物質を本体に注入してデバイスを製造する際に、物質の注入中に開口内のマスクからの材料で本体が汚染されないようにする。【構成】 露出している本体1の表面2上に本体まで下方に延在する開口4を有するマスク3を設け、その後開口4を経て本体1に物質5を注入してからマスク3を除去してデバイス、好ましくは半導体デバイスを製造する場合に、本発明では、本体1の表面2上に第1及び第2層6,7をそれぞれ連続的に堆積し、且つこれらの層に開口4をあけてマスク3を形成するも、第1層6は本体1の材料に対して選択的に除去できるものとし、第2層7は本体1と同じ材料で構成する。

請求項（抜粋）：

露出している本体の表面上に該本体まで下方に延在する開口を有しているマスクを設け、その後前記開口を経て本体に或る物質を注入してから前記マスクを除去してデバイス、好ましくは半導体デバイスを製造するに当り、前記本体の表面上に第1及び第2層を連続的に堆積し、且つこれらの層に開口をあけて前記マスクを設けるも、前記第1層は前記本体の材料に対して選択的に除去できるものとし、前記第2層は本体と同じ材料で構成することを特徴とするデバイスの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/266 ,  H01L 21/28 301

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-046517
  
• 特開平1-173713
  
• 特開昭50-081264