特許

J-GLOBAL ID：200903035982350631

量子素子の製造方法

発明者： 阿部 啓介 ,  真田 恭宏 ,  猪熊 久夫
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-373373
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176166
出願日： 2000年12月07日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】半導体基板上で量子箱を形成させる製造工程に由来する制約をなくし、所望の量子素子に最適な材料で最適な大きさの量子箱を量子素子中に形成させる方法を提供する。【解決手段】基板上に量子箱を設けてなる量子素子の製造方法において、粒子径が100nm以下の半導体または金属の超微粒子をあらかじめその基板上以外で形成する工程、およびその超微粒子をその基板上に複数付着する工程と、を含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に量子箱を設けてなる量子素子の製造方法において、粒子径が100nm以下の半導体または金属の超微粒子をあらかじめその基板上以外で形成する工程、およびその超微粒子をその基板上に複数付着する工程と、を含むことを特徴とする量子素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/06 601 ,  G02F 1/017 506 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

H01L 29/06 601 D ,  G02F 1/017 506 ,  H01L 21/208 Z

Fターム (12件)：

2H079AA02 ,  2H079AA08 ,  2H079AA12 ,  2H079CA05 ,  2H079CA23 ,  2H079DA16 ,  2H079HA15 ,  5F053AA50 ,  5F053DD01 ,  5F053DD20 ,  5F053LL03 ,  5F053RR20