特許

J-GLOBAL ID：200903035983244460

電力用半導体装置およびその製造方法

発明者： ▲高▼橋 信光 ,  ▲高▼橋 美朝 ,  久保田 等
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-034826
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304297
出願日： 1993年01月29日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【目的】 電力用半導体装置のセルサイズを縮小する。【構成】 ゲート電極3の側部を側面酸化膜5により覆い、また、この側面酸化膜5間のシリコン基板1の表面からベース領域6に到達する深さの溝にタングステン膜8を埋設する。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体のドレイン領域と、このドレイン領域に接して形成された第2導電型のベース領域と、このベース領域に接して形成された第1導電型のソース領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に前記ベース領域を位置させるように前記ソース領域と前記ベース領域と前記ドレイン領域とを覆うゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、このゲート電極と前記ゲート絶縁膜との側面でかつ前記ソース領域上に形成された側面絶縁膜と、この側面絶縁膜の表面と整合するように形成されて、前記半導体表面から前記ベース領域に達する溝と、この溝の内部に埋め込まれた金属膜とを含むことを特徴とする電力用半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 321 V ,  H01L 29/78 321 P ,  H01L 29/78 321 D

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-185737
  
• 特開平3-105979
  
• 特開昭61-281556
  
• 特開平2-119184
  
• 特開平3-109775