光集積素子および光集積素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-008210
公開番号（公開出願番号）：特開2009-170710
出願日： 2008年01月17日
公開日（公表日）： 2009年07月30日
要約：

【課題】ハイメサ型導波路における基本モードの曲げ伝播損失が抑制された光集積素子および光集積素子の製造方法を提供すること。【解決手段】基板と、前記基板上に突出しながら該基板表面に沿って延設され、下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に形成され該下部クラッド層よりも大きい屈折率を有するコア層と、前記コア層上に形成され該コア層よりも小さい屈折率を有する上部クラッド層とを有する導波路と、を備え、前記導波路は、直線導波路部と前記基板の表面と平行な面内において曲げを有する曲げ導波路部とを含み、前記曲げ導波路部における下部クラッド層の前記基板からの突出高さは、前記直線導波路部における下部クラッド層の前記基板からの突出高さよりも大きい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に突出しながら該基板表面に沿って延設され、下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に形成され該下部クラッド層よりも大きい屈折率を有するコア層と、前記コア層上に形成され該コア層よりも小さい屈折率を有する上部クラッド層とを有する導波路と、を備え、前記導波路は、直線導波路部と前記基板の表面と平行な面内において曲げを有する曲げ導波路部とを含み、前記曲げ導波路部における下部クラッド層の前記基板からの突出高さは、前記直線導波路部における下部クラッド層の前記基板からの突出高さよりも大きいことを特徴とする光集積素子。

IPC (4件)：

H01S 5/026 , G02B 6/122 , G02B 6/12 , G02F 1/017

FI (4件)：

H01S5/026 618 , G02B6/12 A , G02B6/12 J , G02F1/017 503

Fターム (36件)：

2H079AA05 , 2H079AA12 , 2H079BA03 , 2H079CA05 , 2H079DA16 , 2H079DA22 , 2H079DA25 , 2H079DA26 , 2H079EA05 , 2H079EB04 , 2H079HA04 , 2H079JA07 , 2H147AB02 , 2H147AB04 , 2H147AB27 , 2H147AB32 , 2H147BA06 , 2H147BE01 , 2H147BE22 , 2H147EA02D , 2H147EA10D , 2H147EA12A , 2H147EA12B , 2H147EA12C , 2H147FC05 , 2H147FD20 , 2H147GA19 , 5F173AB61 , 5F173AD16 , 5F173AF32 , 5F173AH14 , 5F173AL03 , 5F173AL05 , 5F173AP05 , 5F173AP33 , 5F173AP45

引用特許：

出願人引用 (1件)

光導波路
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-004307 出願人：日本電信電話株式会社

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