特許

J-GLOBAL ID：200903035992045004

半導体装置の電極の製造方法

発明者： 石川 夏也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-318965
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150422
出願日： 1998年11月10日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】従来のような蒸着法、スパッタリング法等を用いることなく、安価にかつ高精度にバラツキのない電極を形成できる半導体装置の電極の製造方法を提供する。【解決手段】光起電力を生じ得るシリコンウェーハWに無電解メッキ処理を施して電極を形成する際に、シリコンウェーハWを遮光筐体10の内部に配置して、このシリコンウェーハWに照射される光を遮断した遮光状態を形成し、この遮光状態のままで無電解メッキ処理を施す。

請求項（抜粋）：

光起電力を生じ得る半導体装置に無電解メッキ処理を施して電極を形成する半導体装置の電極の製造方法であって、前記光起電力を取り除いた状態で、前記無電解メッキ処理を施す、ことを特徴とする半導体装置の電極の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/288 ,  C23C 18/16

FI (2件)：

H01L 21/288 Z ,  C23C 18/16 B

Fターム (16件)：

4K022AA02 ,  4K022AA41 ,  4K022BA03 ,  4K022BA14 ,  4K022BA25 ,  4K022BA33 ,  4K022BA36 ,  4K022CA03 ,  4K022CA15 ,  4K022CA16 ,  4K022DA01 ,  4K022DB15 ,  4M104BB02 ,  4M104BB36 ,  4M104DD53 ,  4M104HH20