特許
J-GLOBAL ID：200903035993998315
冗長用メモリセルを有する半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-215877
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036297
出願日： 1991年07月31日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】 レーザートリミングにて置換する前に、置換先のリダンダンシセルをテストすることができ、このテスト結果が良い場合に置換できるようにして、置き換えによる歩留まり低下及び特性の悪化を防止できる半導体装置を提供する。【構成】 X4品にてテストする際に不必要となる最上位アドレス(X10T)をリダンダンシワードの選択信号に用いる。つまり、X10Tが1ならばリダンダンシワードが上がりテストされる。X7によりどちらかのリダンダンシワードをテストするか切り換える。また、トリミング時にヒューズF15,F16,F25,F26を切ってしまえば、本テスト回路は切り離され、製品使用時に悪影響はない。
請求項（抜粋）：
冗長用メモリセル選択用のヒューズ群と、冗長用メモリセルを選択する選択手段とを有し、前記ヒューズ群のヒューズを切断することなく前記選択手段により冗長セルを選択してそのテストを行うようにしたことを特徴とする冗長用メモリセルを有する半導体装置。
IPC (2件)：
G11C 29/00 301
, G11C 29/00 303
