特許
J-GLOBAL ID：200903035997596521
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-258035
公開番号（公開出願番号）：特開平8-226563
出願日： 1987年09月24日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：
【要約】【目的】 流体の流量の電子コントロール、特にガスまたは液体の流量を電子信号によりコントロールする小型で高速制御が可能な電気-流体弁を提供する。【構成】 ある量の気体または流体と、その内部に少なくとも1つの可撓性薄膜を形成するエッチングされた空洞を有する第1の基板と、前記空洞を覆い薄膜空洞の中に前記ある量の気体または流体を捕獲するように前記第1の基板に密閉して接続され、外部ソースからのエネルギを使用して前記捕獲された気体または流体を加熱するための手段有する第2の基板と、ここで、前記捕獲された物質の加熱は前記可撓性薄膜を撓ませ、可撓性薄膜に隣接し捕獲された気体または流体の温度変化に伴う薄膜の撓みを用いて仕事を行う第3の基板に形成された手段とを備えたことを特徴とする半導体装置。
請求項（抜粋）：
ある量の物質Mと、その内部に少なくとも1つの可撓性薄膜18、90、608を形成するエッチングされた空洞10を有する第1の基板12、102、604と、前記空洞10を覆い薄膜空洞10の中に前記ある量の物質Mを捕獲するように前記第1の基板12に密閉して接続され、外部ソースからのエネルギを使用して前記捕獲された物質を加熱するための手段20、19、82、610を有する第2の基板22、80、602と、ここで、前記捕獲された物質の加熱は前記可撓性薄膜18を撓ませ、可撓性薄膜18に隣接し、捕獲された物質の温度変化に伴う薄膜の撓みを用いて仕事を行う第3の基板30、94、600に形成された手段28、98、620とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
F16K 31/02 Z
, H01L 49/00
